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AUIRF7342QTR

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Infineon(英飞凌)
型号:
编号:
封装:SO-8
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 55V 3.4A 2W 表面贴装型 8-SO
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Rds On
0.105Ω
Pd-Power Dissipation
2W
VGS
20V
Package
SO-8
Length
4.9 mm
Width
3.9 mm
Transistor polarity
MOSFET
Qualification level
AEC-Q101
VDS
55V
Termination type
SMD/SMT
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Continuous drain current
3.4A
Qg
26 nC
Height
1.75 mm
Circuit Branch Number
2Channel
类型
2个P沟道
漏源电压(Vdss)
55V
连续漏极电流(Id)
3.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
105mΩ@3.4A,10V
功率(Pd)
2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
38nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
690pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
19.96135
50+
17.837
250+
15.88863
1000+
13.5883
2000+
12.75868
数量(递增量:1):
库存:
84,970
最小包装量:
1
交付周期:
13-17 工作日
共:
1,783.70
C000752769 AUIRF7342QTR 由 Infineon(英飞凌) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000752769 AUIRF7342QTR 参考价格 ¥19.9614,实时库存 84970。SO-8 Rds On: 0.105Ω, Pd-Power Dissipation: 2W, VGS: 20V, Package: SO-8, Length: 4.9 mm, Width: 3.9 mm, Transistor polarity: MOSFET, Qualification level: AEC-Q101, VDS: 55V, Termination type: SMD/SMT, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Continuous drain current: 3.4A, Qg: 26 nC, Height: 1.75 mm, Circuit Branch Number: 2Channel, 类型: 2个P沟道, 漏源电压(Vdss): 55V, 连续漏极电流(Id): 3.4A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 105mΩ@3.4A,10V, 功率(Pd): 2W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 38nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 690pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 AUIRF7342QTR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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