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FGB20N60SFD-F085

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:D2PAK
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
Collector-emitter voltage
600V
Max, gate / emitter voltage
20V
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Collector Current Ic
20A
Qualification level
AEC-Q101
Pd-Power Dissipation
208W
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
Package
D2PAK
Termination type
SMD/SMT
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
40A
功率(Pd)
208W
导通损耗(Eon)
0.31mJ
关断损耗(Eoff)
0.13mJ
反向恢复时间(Trr)
111ns
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
35.97014
10+
30.21114
100+
24.43794
数量(递增量:1):
库存:
4,800
最小包装量:
800
交付周期:
14-19 工作日
共:
35.98
C000793911 FGB20N60SFD-F085 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000793911 FGB20N60SFD-F085 参考价格 ¥35.9701,实时库存 4800。D2PAK Collector-emitter voltage: 600V, Max, gate / emitter voltage: 20V, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Collector Current Ic: 20A, Qualification level: AEC-Q101, Pd-Power Dissipation: 208W, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Package: D2PAK, Termination type: SMD/SMT, IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 40A, 功率(Pd): 208W, 导通损耗(Eon): 0.31mJ, 关断损耗(Eoff): 0.13mJ, 反向恢复时间(Trr): 111ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 FGB20N60SFD-F085 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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