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AOTF12N60L

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:AOS(美国万代)
型号:
编号:
封装:TO-220F
海关编码:EAR99
参数描述:通孔 N 通道 600V 12A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
数据手册:
规格
Category
RFFETMOSFET
Package
TO-220F
Pd-Power Dissipation
50W
Termination type
通孔
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
VDS
600V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
550mΩ@6A,10V
功率(Pd)
50W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
50nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.1nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
15.19998
10+
12.66036
100+
10.07821
500+
8.52746
1000+
7.23543
2000+
6.87365
数量(递增量:1):
库存:
3,150
最小包装量:
50
交付周期:
14-19 工作日
共:
15.20

C000794597 AOTF12N60L 由 AOS(美国万代) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000794597 AOTF12N60L 参考价格 ¥15.2,实时库存 3150。TO-220F Package: TO-220F, Pd-Power Dissipation: 50W, Termination type: 通孔, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VDS: 600V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 12A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 550mΩ@6A,10V, 功率(Pd): 50W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 50nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.1nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 AOTF12N60L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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