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IXTQ96N20P

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-3P-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
Through Hole
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Continuous drain current
96A
Transistor polarity
MOSFET
VDS
200V
Package
TO-3P-3
VGS
20V
Rds On
0.024Ω
Pd-Power Dissipation
600W
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
96A
功率(Pd)
600W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
24mΩ@10V,48A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
145nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
4.8nF@25V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
84.75056
10+
72.68343
30+
57.43581
120+
54.6295
270+
52.19737
510+
50.79421
数量(递增量:1):
库存:
3,240
最小包装量:
30
交付周期:
18-20 工作日
共:
84.76
C000831872 IXTQ96N20P 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000831872 IXTQ96N20P 参考价格 ¥84.7506,实时库存 3240。TO-3P-3 Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: Through Hole, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Continuous drain current: 96A, Transistor polarity: MOSFET, VDS: 200V, Package: TO-3P-3, VGS: 20V, Rds On: 0.024Ω, Pd-Power Dissipation: 600W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 200V, 连续漏极电流(Id): 96A, 功率(Pd): 600W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,48A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 145nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.8nF@25V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 IXTQ96N20P 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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