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SI3407HE3-TP

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Mfr.:MCC(美微科)
Mfr. Part #:
YJC. No:
Package:SOT-23
ECCN:EAR99
Description:
Datasheet:
Datasheet
SPECIFICATION
Category
MOSFET
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.1A
功率(Pd)
1.3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
60mΩ@4.1A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)
700pF@15V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
Shop:
1001
Settle
Cooperation
QTY[pcs]
Price[CNY/pcs]
1+
3.87081
10+
2.73789
100+
1.38211
500+
1.22525
1000+
0.95354
QTY(Multiplicity:1):
Stock:
24,000
Mpq:
3000
Delivery:
14-19 Business Day
Total:
3.88
C000857088 SI3407HE3-TP 由 MCC(美微科) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000857088 SI3407HE3-TP 参考价格 ¥3.8708,实时库存 24000。SOT-23 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 4.1A, 功率(Pd): 1.3W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@4.1A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA, 输入电容(Ciss@Vds): 700pF@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SI3407HE3-TP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
Datasheet
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