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FFSM1065A

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:PQFN-4
海关编码:EAR99
参数描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 11A (DC) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
数据手册:
规格
Category
整流二极管
Forward Surge Current
56A
Package
PQFN-4
If-forward Current
11A
Termination type
贴片
Vr-reverse voltage
650V
Operating Temperature Range
-55℃~+175℃
Reverse recovery time
0nS
Operating Temperature-Min
-55℃
Operating Temperature-Max
+175℃
Configuration
独立式
junction capacitance
575pF
Reverse Leakage Current
0.0002A
Vf-Forward Voltage
1.5V
Temperature Coefficient
碳化硅
Pd-Power Dissipation
42W
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
19.72654
数量(递增量:3000):
库存:
39,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
59,179.62

C000873858 FFSM1065A 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-二极管-整流二极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000873858 FFSM1065A 参考价格 ¥19.7265,实时库存 39000。PQFN-4 Forward Surge Current: 56A, Package: PQFN-4, If-forward Current: 11A, Termination type: 贴片, Vr-reverse voltage: 650V, Operating Temperature Range: -55℃~+175℃, Reverse recovery time: 0nS, Operating Temperature-Min: -55℃, Operating Temperature-Max: +175℃, Configuration: 独立式, junction capacitance: 575pF, Reverse Leakage Current: 0.0002A, Vf-Forward Voltage: 1.5V, Temperature Coefficient: 碳化硅, Pd-Power Dissipation: 42W。你可以下载 FFSM1065A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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