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US6J11TR

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:SOT-363T
海关编码:EAR99
参数描述:Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin TUMT T/R
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Qg
2.4 nC
Transistor polarity
MOSFET
VDS
12V
Termination type
SMD/SMT
Circuit Branch Number
2Channel
Continuous drain current
1.3A
VGS
10V
Package
SOT-363T
Pd-Power Dissipation
1W
Rds On
0.19Ω
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
类型
2个P沟道
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)
1.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1.06Ω@1.5V,200mA
功率(Pd)
320mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
2.4nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
290pF@6V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
199+
1.5006
200+
1.48917
500+
1.38151
1000+
1.34625
2000+
1.33387
3000+
1.31005
数量(递增量:1):
库存:
855,010
最小包装量:
1
交付周期:
15-18 工作日
共:
300.82
C000874421 US6J11TR 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000874421 US6J11TR 参考价格 ¥1.5006,实时库存 855010。SOT-363T Qg: 2.4 nC, Transistor polarity: MOSFET, VDS: 12V, Termination type: SMD/SMT, Circuit Branch Number: 2Channel, Continuous drain current: 1.3A, VGS: 10V, Package: SOT-363T, Pd-Power Dissipation: 1W, Rds On: 0.19Ω, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, 类型: 2个P沟道, 漏源电压(Vdss): 12V, 连续漏极电流(Id): 1.3A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.06Ω@1.5V,200mA, 功率(Pd): 320mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 2.4nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 290pF@6V。你可以下载 US6J11TR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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