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规格
Pd-Power Dissipation
1.25W
Continuous drain current
2.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
115mΩ@2.5V,3.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.9V@250uA
C000875666 SI2302A 由 UMW(广东友台半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000875666 SI2302A 参考价格 ¥3.5876,实时库存 27000。SOT-23 Transistor polarity: N沟道, Pd-Power Dissipation: 1.25W, Rds On: 0.115Ω 3.1A 2.5V, VGS: 1.9V 0.00025A, VDS: 20V, Continuous drain current: 2.8A, Package: SOT-23, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 2.8A, 功率(Pd): 1.25W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 115mΩ@2.5V,3.1A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 10nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 300pF@10V。你可以下载 SI2302A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。