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RT1A050ZPTR

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:TSST-8
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Termination type
SMD/SMT
Circuit Branch Number
1Channel
VDS
12V
Length
3 mm
Width
1.6 mm
Transistor polarity
MOSFET
Continuous drain current
5A
Pd-Power Dissipation
1.25W
Height
0.8 mm
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Package
TSST-8
VGS
10V
Rds On
0.026Ω
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
26mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)
600mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
34nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
2.8nF@6V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
3.7615
6000+
3.58247
9000+
3.41703
数量(递增量:3000):
库存:
63,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
11,284.50
C000926860 RT1A050ZPTR 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000926860 RT1A050ZPTR 参考价格 ¥3.7615,实时库存 63000。TSST-8 Termination type: SMD/SMT, Circuit Branch Number: 1Channel, VDS: 12V, Length: 3 mm, Width: 1.6 mm, Transistor polarity: MOSFET, Continuous drain current: 5A, Pd-Power Dissipation: 1.25W, Height: 0.8 mm, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Package: TSST-8, VGS: 10V, Rds On: 0.026Ω, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 12V, 连续漏极电流(Id): 5A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@4.5V,5A, 功率(Pd): 600mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 34nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.8nF@6V。你可以下载 RT1A050ZPTR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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