logo
我的购物车

IXFH80N25X3

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Pd-Power Dissipation
390W
VGS
10V
Package
TO-247-3
Qg
83 nC
Rds On
0.016Ω
VDS
250V
Continuous drain current
80A
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Circuit Branch Number
1Channel
Transistor polarity
MOSFET
Termination type
Through Hole
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
250V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
16mΩ@10V,40A
功率(Pd)
390W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@1.5mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
83nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
5.43nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
107.20104
10+
91.85988
30+
85.03119
数量(递增量:1):
库存:
120
最小包装量:
30
交付周期:
18-20 工作日
共:
107.21
C000931701 IXFH80N25X3 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000931701 IXFH80N25X3 参考价格 ¥107.201,实时库存 120。TO-247-3 Pd-Power Dissipation: 390W, VGS: 10V, Package: TO-247-3, Qg: 83 nC, Rds On: 0.016Ω, VDS: 250V, Continuous drain current: 80A, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: MOSFET, Termination type: Through Hole, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 250V, 连续漏极电流(Id): 80A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@10V,40A, 功率(Pd): 390W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@1.5mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 83nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 5.43nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXFH80N25X3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!