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FGA6560WDF
产品图片仅供参考，可能与产品实物不同，但不会改变其基本特征。
| 产商: | ON(安森美) |
| 型号: | |
| 编号: | |
| 封装: | TO-3PN |
| 海关编码: | EAR99 |
| 参数描述: | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
| 数据手册: | 数据手册 |
规格
Category
IGBT管
Max, gate / emitter voltage
30V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
30V
Collector-emitter voltage
650V
Pd-Power Dissipation
306W
Termination type
Through Hole
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Package
TO-3PN
Collector Current Ic
120A
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3+
24.1334
10+
22.54229
25+
22.28505
100+
20.73205
450+
20.10323
900+
19.51252
数量(递增量:1):
库存:
1,750最小包装量:
1
交付周期:
17-20 工作日
共:
￥72.41
C000953138 FGA6560WDF 由 ON(安森美) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000953138 FGA6560WDF 参考价格 ￥24.1334，实时库存 1750。TO-3PN Max, gate / emitter voltage: 30V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 30V, Collector-emitter voltage: 650V, Pd-Power Dissipation: 306W, Termination type: Through Hole, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Package: TO-3PN, Collector Current Ic: 120A。你可以下载 FGA6560WDF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
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