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SI2312A

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:UMW(广东友台半导体)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Package
SOT-23
Pd-Power Dissipation
0.75W
Rds On
5A 4.5V 0.033Ω
Continuous drain current
3.77A
Transistor polarity
N沟道
VGS
0.00025A 850mV
VDS
20V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3.77A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
33mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)
750mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
850mV@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.24845
10+
3.16273
25+
2.76431
100+
1.78807
250+
1.48033
500+
1.1842
数量(递增量:1):
库存:
36,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
4.25
C001047988 SI2312A 由 UMW(广东友台半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001047988 SI2312A 参考价格 ¥4.2485,实时库存 36000。SOT-23 Package: SOT-23, Pd-Power Dissipation: 0.75W, Rds On: 5A 4.5V 0.033Ω, Continuous drain current: 3.77A, Transistor polarity: N沟道, VGS: 0.00025A 850mV, VDS: 20V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 3.77A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 33mΩ@4.5V,5A, 功率(Pd): 750mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 850mV@250uA。你可以下载 SI2312A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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