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G1006LE

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Goford
型号:
编号:
封装:SOT-23-3L
海关编码:EAR99
参数描述:G1006LE
数据手册:
规格
Category
MOSFET
Package
SOT-23-3L
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
143mΩ
功率(Pd)
1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
18.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
622pF@50V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
1.19381
6000+
1.14418
9000+
1.02976
30000+
1.014521
75000+
0.95354
数量(递增量:3000):
库存:
72,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
3,581.43

C001069150 G1006LE 由 Goford 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001069150 G1006LE 参考价格 ¥1.1938,实时库存 72000。SOT-23-3L Package: SOT-23-3L, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 3A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 143mΩ, 功率(Pd): 1.5W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 18.2nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 622pF@50V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 G1006LE 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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