STW25N80K5

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产商:	ST(意法半导体)
型号:	STW25N80K5
编号:	C001075423
封装:	TO-247-3
海关编码:	EAR99
参数描述:	Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

Pd-Power Dissipation

250W

Continuous drain current

19.5A

Transistor polarity

MOSFET

Circuit Branch Number

1Channel

Rds On

0.26Ω

Operating Temperature Range

150℃~-55℃

VGS

30V

Qg

40 nC

VDS

800V

Termination type

Through Hole

Package

TO-247-3

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

800V

连续漏极电流(Id)

19.5A

功率(Pd)

250W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

190mΩ@10V,10A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

5V@100uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

40nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

1.6nF@100V

反向传输电容(Crss@Vds)

2pF@100V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

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39.211

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C001075423 STW25N80K5 由 ST(意法半导体) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001075423 STW25N80K5 参考价格 ￥39.211，实时库存 9360。TO-247-3 Pd-Power Dissipation: 250W, Continuous drain current: 19.5A, Transistor polarity: MOSFET, Circuit Branch Number: 1Channel, Rds On: 0.26Ω, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, VGS: 30V, Qg: 40 nC, VDS: 800V, Termination type: Through Hole, Package: TO-247-3, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 800V, 连续漏极电流(Id): 19.5A, 功率(Pd): 250W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@10V,10A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@100uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 40nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.6nF@100V, 反向传输电容(Crss@Vds): 2pF@100V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 STW25N80K5 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。