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产商: | Toshiba(东芝) |
型号: | |
编号: | |
封装: | TO-3P |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | IGBT 晶体管 600V/30A DIS |
数据手册: | |
规格
Collector-emitter voltage
600V
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Termination type
Through Hole
Max, gate / emitter voltage
20V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
C001076661 GT30J121(Q) 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001076661 GT30J121(Q) 参考价格 ¥30.5888,实时库存 400。TO-3P Package: TO-3P, Collector Current Ic: 30A, Collector-emitter voltage: 600V, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: Through Hole, Length: 15.9 mm, Width: 4.8 mm, Max, gate / emitter voltage: 20V, Height: 19 mm, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V。你可以下载 GT30J121(Q) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。