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GT30J121(Q)

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:TO-3P
海关编码:EAR99
参数描述:IGBT 晶体管 600V/30A DIS
数据手册:
规格
Category
IGBT管
Package
TO-3P
Collector Current Ic
30A
Collector-emitter voltage
600V
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Termination type
Through Hole
Length
15.9 mm
Width
4.8 mm
Max, gate / emitter voltage
20V
Height
19 mm
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
30.58878
10+
25.81806
50+
24.88262
100+
21.51505
300+
20.20544
500+
18.52165
数量(递增量:1):
库存:
400
最小包装量:
100
交付周期:
18-20 工作日
共:
30.59
C001076661 GT30J121(Q) 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001076661 GT30J121(Q) 参考价格 ¥30.5888,实时库存 400。TO-3P Package: TO-3P, Collector Current Ic: 30A, Collector-emitter voltage: 600V, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: Through Hole, Length: 15.9 mm, Width: 4.8 mm, Max, gate / emitter voltage: 20V, Height: 19 mm, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V。你可以下载 GT30J121(Q) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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