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MDD15N10D

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:MDD(辰达)
型号:
编号:
封装:TO-252
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
15A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
95mΩ@10V,10A
功率(Pd)
28W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
26nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
1.07nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)
30pF@50V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
2500+
0.30298
数量(递增量:2500):
库存:
2,500
最小包装量:
2500
交付周期:
39-53 工作日
共:
757.45
C001076973 MDD15N10D 由 MDD(辰达) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001076973 MDD15N10D 参考价格 ¥0.303,实时库存 2500。TO-252 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 15A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 95mΩ@10V,10A, 功率(Pd): 28W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 26nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.07nF@50V, 反向传输电容(Crss@Vds): 30pF@50V。你可以下载 MDD15N10D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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