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SH8J66TB1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:SOP-8
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 9A 2W 表面贴装型 8-SOP
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Operating Temperature Range
150℃
Pd-Power Dissipation
2W
Package
SOP-8
Continuous drain current
9A
Rds On
0.019Ω
Termination type
SMD/SMT
VDS
30V
Transistor polarity
MOSFET
类型
2个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
18.5mΩ@9A,10V
功率(Pd)
2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
35nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)
3nF@10V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
23.14765
10+
19.20435
100+
15.24826
500+
12.99495
1000+
11.0105
数量(递增量:1):
库存:
98,903
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
23.15
C001097063 SH8J66TB1 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001097063 SH8J66TB1 参考价格 ¥23.1477,实时库存 98903。SOP-8 Operating Temperature Range: 150℃, Pd-Power Dissipation: 2W, Package: SOP-8, Continuous drain current: 9A, Rds On: 0.019Ω, Termination type: SMD/SMT, VDS: 30V, Transistor polarity: MOSFET, 类型: 2个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 9A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18.5mΩ@9A,10V, 功率(Pd): 2W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 35nC@5V, 输入电容(Ciss@Vds): 3nF@10V。你可以下载 SH8J66TB1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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