STGW30NC60KD

C001115645 STGW30NC60KD 由 ST(意法半导体) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001115645 STGW30NC60KD 参考价格 ￥66.6519，实时库存 21347。TO-247-3 Max, gate / emitter voltage: 20V, Package: TO-247-3, Pd-Power Dissipation: 200W, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: Through Hole, Height: 20.15 mm, Collector Current Ic: 60A, Collector-emitter saturation voltage: 20A 2.7V 15V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Length: 15.75 mm, Width: 5.15 mm, Collector-emitter voltage: 600V, 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 60A, 功率(Pd): 200W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.7V@15V,20A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 96nC, 开启延迟时间(Td(on)): 29ns, 关断延迟时间(Td(off)): 120ns, 导通损耗(Eon): 0.35mJ, 关断损耗(Eoff): 0.435mJ, 反向恢复时间(Trr): 40ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 STGW30NC60KD 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。