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IXTN200N10L2

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:SOT-227B
海关编码:EAR99
参数描述:底座安装 N 通道 100V 178A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Package
SOT-227B
Termination type
底座安装
Pd-Power Dissipation
830W
VDS
100V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
178A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
11mΩ@100A,10V
功率(Pd)
830W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@3mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
540nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
23nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
475.25897
10+
423.4563
100+
371.6857
数量(递增量:1):
库存:
5,260
最小包装量:
10
交付周期:
14-19 工作日
共:
475.26
C001125511 IXTN200N10L2 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001125511 IXTN200N10L2 参考价格 ¥475.259,实时库存 5260。SOT-227B Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Package: SOT-227B, Termination type: 底座安装, Pd-Power Dissipation: 830W, VDS: 100V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 178A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@100A,10V, 功率(Pd): 830W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@3mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 540nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 23nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXTN200N10L2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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