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SI2308A

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:UMW(广东友台半导体)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:MOS(场效应管)
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VGS
3V 0.00025A
Transistor polarity
N沟道
Rds On
2A 10V 0.16Ω
Continuous drain current
2A
VDS
60V
Pd-Power Dissipation
1.25W
Package
SOT-23
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
3A
功率(Pd)
1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
80mΩ@10V,3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
0.95086
6000+
0.89802
15000+
0.81877
30000+
0.76594
75000+
0.68668
数量(递增量:3000):
库存:
27,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
2,852.58
C001127793 SI2308A 由 UMW(广东友台半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001127793 SI2308A 参考价格 ¥0.9509,实时库存 27000。SOT-23 VGS: 3V 0.00025A, Transistor polarity: N沟道, Rds On: 2A 10V 0.16Ω, Continuous drain current: 2A, VDS: 60V, Pd-Power Dissipation: 1.25W, Package: SOT-23, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 3A, 功率(Pd): 1.25W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,3A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA。你可以下载 SI2308A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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