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RUU002N05T106

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:SOT-323
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
VGS
8V
Package
SOT-323
Continuous drain current
0.2A
Termination type
SMD/SMT
Circuit Branch Number
1Channel
Transistor polarity
MOSFET
Pd-Power Dissipation
0.2W
Rds On
1.6Ω
VDS
50V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2.2Ω@200mA,4.5V
功率(Pd)
200mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
25pF@10V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
3.08695
10+
2.26376
100+
0.85125
1000+
0.65481
3000+
0.505141
9000+
0.44901
数量(递增量:1):
库存:
66,000
最小包装量:
3000
交付周期:
18-20 工作日
共:
3.09
C001136809 RUU002N05T106 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001136809 RUU002N05T106 参考价格 ¥3.087,实时库存 66000。SOT-323 Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VGS: 8V, Package: SOT-323, Continuous drain current: 0.2A, Termination type: SMD/SMT, Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: MOSFET, Pd-Power Dissipation: 0.2W, Rds On: 1.6Ω, VDS: 50V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 50V, 连续漏极电流(Id): 200mA, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.2Ω@200mA,4.5V, 功率(Pd): 200mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@1mA, 输入电容(Ciss@Vds): 25pF@10V。你可以下载 RUU002N05T106 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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