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FGH60T65SHD-F155

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
Pd-Power Dissipation
349W
Collector-emitter voltage
650V
Types
沟槽型场截止
Package
TO-247-3
Collector-emitter saturation voltage
1V 15V 60A
Collector Current Ic
120A
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Termination type
通孔
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
120A
功率(Pd)
349W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.1V@15V,60A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
102nC
开启延迟时间(Td(on))
26ns
关断延迟时间(Td(off))
87ns
导通损耗(Eon)
1.69mJ
关断损耗(Eoff)
0.63mJ
反向恢复时间(Trr)
34.6ns
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
47.48814
10+
39.85982
100+
32.24849
500+
28.66559
1000+
24.54491
2000+
23.1117
数量(递增量:1):
库存:
3,300
最小包装量:
30
交付周期:
14-19 工作日
共:
47.49
C001136940 FGH60T65SHD-F155 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001136940 FGH60T65SHD-F155 参考价格 ¥47.4881,实时库存 3300。TO-247-3 Pd-Power Dissipation: 349W, Collector-emitter voltage: 650V, Types: 沟槽型场截止, Package: TO-247-3, Collector-emitter saturation voltage: 1V 15V 60A, Collector Current Ic: 120A, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Termination type: 通孔, IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 120A, 功率(Pd): 349W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.1V@15V,60A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 102nC, 开启延迟时间(Td(on)): 26ns, 关断延迟时间(Td(off)): 87ns, 导通损耗(Eon): 1.69mJ, 关断损耗(Eoff): 0.63mJ, 反向恢复时间(Trr): 34.6ns, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 FGH60T65SHD-F155 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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