IXTH50P10

C001183916 IXTH50P10 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001183916 IXTH50P10 参考价格 ￥106.3999，实时库存 7650。TO-247-3 Transistor polarity: StandardPowerMOSFET, Rds On: 0.055Ω, Package: TO-247-3, VGS: 20V, Pd-Power Dissipation: 300W, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VDS: 100V, Continuous drain current: 50A, Circuit Branch Number: 1Channel, Qg: 140 nC, Height: 21.46 mm, Length: 16.26 mm, Width: 5.3 mm, Termination type: Through Hole, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 50A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@25A,10V, 功率(Pd): 300W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 140nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.35nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXTH50P10 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。