1N4150W-HE3-18

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产商:	Vishay(威世)
型号:	1N4150W-HE3-18
编号:	C001228316
封装:
海关编码:	EAR99
参数描述:	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
数据手册:

规格

Category

整流二极管

Reverse recovery time

4nS

If-forward Current

0.2A

Qualification level

AEC-Q101

Vr-reverse voltage

50V

Termination type

贴片

Operating Temperature Range

-55℃~+150℃

Operating Temperature-Max

+150℃

Operating Temperature-Min

-55℃

VRWM

50V

junction capacitance

2.5pF

Vf-Forward Voltage

1V

Reverse Leakage Current

0.0000001A

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

2.52568

10+

1.7025

100+

0.70158

1000+

0.42095

2500+

0.38353

10000+

0.32741

数量(递增量:1):

库存:

310,000

+-

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18-20 工作日

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￥2.53

C001228316 1N4150W-HE3-18 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-二极管-整流二极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001228316 1N4150W-HE3-18 参考价格 ￥2.5257，实时库存 310000。 Reverse recovery time: 4nS, If-forward Current: 0.2A, Qualification level: AEC-Q101, Vr-reverse voltage: 50V, Termination type: 贴片, Operating Temperature Range: -55℃~+150℃, Operating Temperature-Max: +150℃, Operating Temperature-Min: -55℃, VRWM: 50V, junction capacitance: 2.5pF, Vf-Forward Voltage: 1V, Reverse Leakage Current: 0.0000001A。你可以下载 1N4150W-HE3-18 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。