IXGH25N160

C001232121 IXGH25N160 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001232121 IXGH25N160 参考价格 ￥152.5697，实时库存 1110。TO-247AD Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Length: 16.26 mm, Termination type: Through Hole, Height: 21.46 mm, Collector Current Ic: 75A, Max, gate / emitter voltage: 20V, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Width: 5.3 mm, Collector-emitter voltage: 1600V, Package: TO-247AD, Pd-Power Dissipation: 300W, IGBT类型: NPT(非穿通型), 集射极击穿电压(Vces): 1.6kV, 集电极电流(Ic): 75A, 功率(Pd): 300W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 4.7V@20V,100A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 84nC, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXGH25N160 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。