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BSR58

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:JFET N 通道 40V 250mW 表面贴装型 SOT-23-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
结型场效应晶体管(JFET)
Pd-Power Dissipation
0.25W
Package
SOT-23
Transistor polarity
JFET
Operating Temperature Range
150°C(TJ)
Termination type
SMD/SMT
Rds On
60Ω
VGS
0.000000005A 800mV
FET类型
N沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)
800mV@0.5nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)
40V
功率(Pd)
250mW
漏源导通电阻(RDS(on))
60Ω
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)
8mA@15V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
100+
2.68861
500+
1.84362
1000+
1.40832
数量(递增量:1):
库存:
684,875
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
268.87
C001232183 BSR58 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-结型场效应晶体管(JFET) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001232183 BSR58 参考价格 ¥2.6886,实时库存 684875。SOT-23 Pd-Power Dissipation: 0.25W, Package: SOT-23, Transistor polarity: JFET, Operating Temperature Range: 150°C(TJ), Termination type: SMD/SMT, Rds On: 60Ω, VGS: 0.000000005A 800mV, FET类型: N沟道, 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@0.5nA, 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V, 功率(Pd): 250mW, 漏源导通电阻(RDS(on)): 60Ω, 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 8mA@15V。你可以下载 BSR58 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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