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MDD7N65D

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:MDD(辰达)
型号:
编号:
封装:TO-252
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
功率(Pd)
100W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1.2Ω@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
20.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
1.09nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)
6.1pF@25V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
2500+
0.76945
数量(递增量:2500):
库存:
2,500
最小包装量:
2500
交付周期:
39-53 工作日
共:
1,923.63
C001257638 MDD7N65D 由 MDD(辰达) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001257638 MDD7N65D 参考价格 ¥0.7695,实时库存 2500。TO-252 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 7A, 功率(Pd): 100W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,3.5A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 20.7nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.09nF@25V, 反向传输电容(Crss@Vds): 6.1pF@25V。你可以下载 MDD7N65D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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