IXTP10P50P

C001281317 IXTP10P50P 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001281317 IXTP10P50P 参考价格 ￥60.7999，实时库存 2700。TO-220-3 Pd-Power Dissipation: 300W, VDS: 500V, Package: TO-220-3, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: 通孔, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 500V, 连续漏极电流(Id): 10A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@5A,10V, 功率(Pd): 300W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 50nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.84nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXTP10P50P 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。