G12P10K

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产商:	Goford
型号:	G12P10K
编号:	C001292940
封装:	TO-252
海关编码:	EAR99
参数描述:	G12P10K
数据手册:

规格

Category

MOSFET

Pd-Power Dissipation

40W

VGS

0.00025A 3V

Rds On

0.2Ω 6A 10V

VDS

100V

Transistor polarity

P沟道

Package

TO-252

Continuous drain current

12A

类型

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

12A

功率(Pd)

57W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

200mΩ@10V,6A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

33nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

1.72nF@50V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

2500+

2.44574

5000+

2.31703

12500+

2.14545

25000+

2.12423

数量(递增量:2500):

库存:

10,000

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14-19 工作日

共:

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C001292940 G12P10K 由 Goford 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001292940 G12P10K 参考价格 ￥2.4457，实时库存 10000。TO-252 Pd-Power Dissipation: 40W, VGS: 0.00025A 3V, Rds On: 0.2Ω 6A 10V, VDS: 100V, Transistor polarity: P沟道, Package: TO-252, Continuous drain current: 12A, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 12A, 功率(Pd): 57W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,6A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 33nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.72nF@50V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 G12P10K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。