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TN0604N3-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:TO-92-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VGS
10V
Rds On
0.75Ω
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Pd-Power Dissipation
0.74W
Length
5.21 mm
Width
4.19 mm
Height
5.33 mm
VDS
40V
Package
TO-92-3
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
Through Hole
Transistor polarity
FET
Continuous drain current
0.7A
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
700mA
功率(Pd)
740mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
750mΩ@10V,1.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.6V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
190pF@20V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
13.00257
25+
10.75753
100+
9.91563
数量(递增量:1):
库存:
9,000
最小包装量:
1000
交付周期:
18-20 工作日
共:
13.01
C001309987 TN0604N3-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001309987 TN0604N3-G 参考价格 ¥13.0026,实时库存 9000。TO-92-3 VGS: 10V, Rds On: 0.75Ω, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Pd-Power Dissipation: 0.74W, Length: 5.21 mm, Width: 4.19 mm, Height: 5.33 mm, VDS: 40V, Package: TO-92-3, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: Through Hole, Transistor polarity: FET, Continuous drain current: 0.7A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 700mA, 功率(Pd): 740mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 750mΩ@10V,1.5A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@1mA, 输入电容(Ciss@Vds): 190pF@20V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 TN0604N3-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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