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CE3512K2-C1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:California Eastern Laboratories
型号:
编号:
封装:4-Micro-X
海关编码:EAR99
参数描述:RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X
数据手册:
规格
Category
RFFETMOSFET
Gain
13.7dB
Continuous drain current
0.015A
Noise factor
0.5dB
Operating Frequency
12000000000Hz
Output Power
0.125W
Package
4-Micro-X
Transistor type
pHEMTFET
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
10000+
5.24824
数量(递增量:10000):
库存:
230,000
最小包装量:
10000
交付周期:
14-19 工作日
共:
52,482.40

C001333437 CE3512K2-C1 由 California Eastern Laboratories 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001333437 CE3512K2-C1 参考价格 ¥5.2482,实时库存 230000。4-Micro-X Gain: 13.7dB, Continuous drain current: 0.015A, Noise factor: 0.5dB, Operating Frequency: 12000000000Hz, Output Power: 0.125W, Package: 4-Micro-X, Transistor type: pHEMTFET。你可以下载 CE3512K2-C1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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