登录
logo
我的购物车

SI2310A

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:UMW(广东友台半导体)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:SI2310A
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Pd-Power Dissipation
1.38W
VDS
60V
Rds On
3A 10V 0.09Ω
Transistor polarity
N沟道
VGS
3V 0.00025A
Package
SOT-23
Continuous drain current
3A
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
90mΩ@10V,3A
功率(Pd)
1.38W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
1.01946
6000+
0.96281
15000+
0.87784
30000+
0.8212
75000+
0.73623
数量(递增量:3000):
库存:
33,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
3,058.38
C001430656 SI2310A 由 UMW(广东友台半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001430656 SI2310A 参考价格 ¥1.019501,实时库存 33000。SOT-23 Pd-Power Dissipation: 1.38W, VDS: 60V, Rds On: 3A 10V 0.09Ω, Transistor polarity: N沟道, VGS: 3V 0.00025A, Package: SOT-23, Continuous drain current: 3A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 3A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,3A, 功率(Pd): 1.38W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA。你可以下载 SI2310A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!