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RSM002N06T2L

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:SOT-723
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 60V 250mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
VDS
60V
Pd-Power Dissipation
0.15W
Package
SOT-723
Operating Temperature Range
150°C(TJ)
Termination type
表面贴装型
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
250mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2.4Ω@250mA,10V
功率(Pd)
150mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.3V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
15pF@25V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
3.87081
10+
2.72845
100+
1.37648
500+
1.12322
1000+
0.83332
2000+
0.70115
数量(递增量:1):
库存:
4,536,000
最小包装量:
8000
交付周期:
14-19 工作日
共:
3.88
C001503942 RSM002N06T2L 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001503942 RSM002N06T2L 参考价格 ¥3.8708,实时库存 4536000。SOT-723 VDS: 60V, Pd-Power Dissipation: 0.15W, Package: SOT-723, Operating Temperature Range: 150°C(TJ), Termination type: 表面贴装型, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 250mA, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.4Ω@250mA,10V, 功率(Pd): 150mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.3V@1mA, 输入电容(Ciss@Vds): 15pF@25V。你可以下载 RSM002N06T2L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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