NVD3055L170T4G-VF01

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产商:	ON(安森美)
型号:	NVD3055L170T4G-VF01
编号:	C001599920
封装:	DPAK-3
海关编码:	EAR99
参数描述:	MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
数据手册:

规格

Category

RFFETMOSFET

Rds On

0.17Ω

Qg

10 nC

VGS

15V

Qualification level

AEC-Q101

Circuit Branch Number

1Channel

Package

DPAK-3

Continuous drain current

9A

VDS

60V

Transistor polarity

MOSFET

Operating Temperature Range

175℃~-55℃

Termination type

SMD/SMT

Pd-Power Dissipation

0.5W

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

9A

功率(Pd)

28.5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

170mΩ@4.5A,5V

阈值电压(Vgs(th)@Id)

2V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

10nC@5V

输入电容(Ciss@Vds)

275pF@25V

工作温度

-55℃~+175℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

7.38995

10+

6.56677

100+

4.48075

500+

3.74175

1000+

3.18049

2500+

2.88115

数量(递增量:1):

库存:

105,000

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18-20 工作日

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￥7.39

C001599920 NVD3055L170T4G-VF01 由 ON(安森美) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001599920 NVD3055L170T4G-VF01 参考价格 ￥7.39，实时库存 105000。DPAK-3 Rds On: 0.17Ω, Qg: 10 nC, VGS: 15V, Qualification level: AEC-Q101, Circuit Branch Number: 1Channel, Package: DPAK-3, Continuous drain current: 9A, VDS: 60V, Transistor polarity: MOSFET, Operating Temperature Range: 175℃~-55℃, Termination type: SMD/SMT, Pd-Power Dissipation: 0.5W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 9A, 功率(Pd): 28.5W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 170mΩ@4.5A,5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 10nC@5V, 输入电容(Ciss@Vds): 275pF@25V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 NVD3055L170T4G-VF01 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。