IXTH30N50L2

C001638151 IXTH30N50L2 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001638151 IXTH30N50L2 参考价格 ￥292.1039，实时库存 5070。TO-247-3 Rds On: 0.2Ω, Transistor polarity: LinearL2PowerMOSFET, Pd-Power Dissipation: 400W, Package: TO-247-3, VGS: 20V, Width: 5.3 mm, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Qg: 240 nC, Height: 21.46 mm, Termination type: Through Hole, Circuit Branch Number: 1Channel, VDS: 500V, Length: 16.26 mm, Continuous drain current: 30A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 500V, 连续漏极电流(Id): 30A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@15A,10V, 功率(Pd): 400W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 240nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 8.1nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXTH30N50L2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。