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SIHLL110TR-GE3

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Vishay(威世)
型号:
编号:
封装:SOT-223-3
海关编码:EAR99
参数描述:Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Continuous drain current
1.5A
Transistor polarity
MOSFET
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Pd-Power Dissipation
0.1W
VDS
100V
Rds On
0.54Ω
Qg
6.1 nC
Package
SOT-223-3
VGS
10V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
1.5A
功率(Pd)
2W;3.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
540mΩ@900mA,5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
6.1nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)
250pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
1.62732
数量(递增量:1):
库存:
20,847
最小包装量:
1
交付周期:
17-19 工作日
共:
1.63
C001647629 SIHLL110TR-GE3 由 Vishay(威世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001647629 SIHLL110TR-GE3 参考价格 ¥1.6273,实时库存 20847。SOT-223-3 Continuous drain current: 1.5A, Transistor polarity: MOSFET, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Pd-Power Dissipation: 0.1W, VDS: 100V, Rds On: 0.54Ω, Qg: 6.1 nC, Package: SOT-223-3, VGS: 10V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 1.5A, 功率(Pd): 2W;3.1W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 540mΩ@900mA,5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 6.1nC@5V, 输入电容(Ciss@Vds): 250pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SIHLL110TR-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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