IXFP6N120P

C001671159 IXFP6N120P 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001671159 IXFP6N120P 参考价格 ￥91.9534，实时库存 3750。TO-220AB VDS: 1200V, Package: TO-220AB, Termination type: 通孔, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Pd-Power Dissipation: 250W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 1.2kV, 连续漏极电流(Id): 6A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.4Ω@500mA,10V, 功率(Pd): 250W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 92nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.83nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXFP6N120P 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。