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DN3135N8-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:SOT-89-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Package
SOT-89-3
VGS
20V
Height
1.6 mm
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Circuit Branch Number
1Channel
Transistor polarity
FET
Rds On
35Ω
Pd-Power Dissipation
0.3W
Continuous drain current
0.135A
VDS
350V
Length
4.6 mm
Width
2.6 mm
Termination type
SMD/SMT
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
350V
连续漏极电流(Id)
135mA
功率(Pd)
1.3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
35Ω@0V,150mA
输入电容(Ciss@Vds)
120pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
6.68312
25+
6.27343
100+
5.74851
2000+
5.64608
数量(递增量:1):
库存:
140,763
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
6.69
C001689011 DN3135N8-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001689011 DN3135N8-G 参考价格 ¥6.6831,实时库存 140763。SOT-89-3 Package: SOT-89-3, VGS: 20V, Height: 1.6 mm, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: FET, Rds On: 35Ω, Pd-Power Dissipation: 0.3W, Continuous drain current: 0.135A, VDS: 350V, Length: 4.6 mm, Width: 2.6 mm, Termination type: SMD/SMT, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 350V, 连续漏极电流(Id): 135mA, 功率(Pd): 1.3W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35Ω@0V,150mA, 输入电容(Ciss@Vds): 120pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 DN3135N8-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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