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SS8050

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:MDD(辰达)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:Schottky Barrier Diode
数据手册:
数据手册
规格
Category
双极晶体管(三极管)
Pd-Power Dissipation
0.3W
Transistor polarity
NPN
Collector-emitter voltage
25V
Collector Current Ic
1.5A
Package
SOT-23
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
25V
功率(Pd)
300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
120@100mA,1V
特征频率(fT)
100MHz
集电极截止电流(Icbo)
100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
500mV@100mA,5mA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
6000+
0.14292
数量(递增量:3000):
库存:
4,611,000
最小包装量:
3000
交付周期:
15-18 工作日
共:
857.52
C001717749 SS8050 由 MDD(辰达) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001717749 SS8050 参考价格 ¥0.1429,实时库存 4611000。SOT-23 Pd-Power Dissipation: 0.3W, Transistor polarity: NPN, Collector-emitter voltage: 25V, Collector Current Ic: 1.5A, Package: SOT-23, 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 1.5A, 集射极击穿电压(Vceo): 25V, 功率(Pd): 300mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 120@100mA,1V, 特征频率(fT): 100MHz, 集电极截止电流(Icbo): 100nA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@100mA,5mA。你可以下载 SS8050 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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