登录
logo
我的购物车

TN0110N3-G

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:TO-92-3
海关编码:EAR99
参数描述:N沟道,100V;350mA;3Ω@500mA,10V
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VGS
10V
Continuous drain current
0.35A
Transistor polarity
FET
Length
5.21 mm
Package
TO-92-3
Pd-Power Dissipation
1W
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
VDS
100V
Rds On
Height
5.33 mm
Width
4.19 mm
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
Through Hole
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
350mA
功率(Pd)
1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4.5Ω@4.5V,250mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@500uA
输入电容(Ciss@Vds)
60pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
11.78651
25+
9.82209
100+
8.88665
数量(递增量:1):
库存:
32,000
最小包装量:
1000
交付周期:
18-20 工作日
共:
11.79
C001764838 TN0110N3-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001764838 TN0110N3-G 参考价格 ¥11.7865,实时库存 32000。TO-92-3 VGS: 10V, Continuous drain current: 0.35A, Transistor polarity: FET, Length: 5.21 mm, Package: TO-92-3, Pd-Power Dissipation: 1W, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, VDS: 100V, Rds On: 3Ω, Height: 5.33 mm, Width: 4.19 mm, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: Through Hole, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 350mA, 功率(Pd): 1W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5Ω@4.5V,250mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@500uA, 输入电容(Ciss@Vds): 60pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 TN0110N3-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!