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IPN80R900P7ATMA1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Infineon(英飞凌)
型号:
编号:
封装:SOT-223-3
海关编码:EAR99
参数描述:N沟道,10V,6A,900mΩ@10V
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Transistor polarity
MOSFET
Circuit Branch Number
1Channel
Continuous drain current
6A
Pd-Power Dissipation
7W
VDS
800V
Rds On
0.77Ω
VGS
20V
Package
SOT-223-3
Qg
15 nC
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Termination type
SMD/SMT
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
6A
功率(Pd)
7W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
900mΩ@10V,2.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3.5V@110uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
10.52399
10+
8.59075
100+
6.68312
500+
5.67169
1000+
4.62185
数量(递增量:1):
库存:
263,550
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
10.53
C001767188 IPN80R900P7ATMA1 由 Infineon(英飞凌) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001767188 IPN80R900P7ATMA1 参考价格 ¥10.524,实时库存 263550。SOT-223-3 Transistor polarity: MOSFET, Circuit Branch Number: 1Channel, Continuous drain current: 6A, Pd-Power Dissipation: 7W, VDS: 800V, Rds On: 0.77Ω, VGS: 20V, Package: SOT-223-3, Qg: 15 nC, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: SMD/SMT, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 800V, 连续漏极电流(Id): 6A, 功率(Pd): 7W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,2.2A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V@110uA。你可以下载 IPN80R900P7ATMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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