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IXTP36P15P

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-220-3
海关编码:EAR99
参数描述:P-Channel 150V 36A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Pd-Power Dissipation
300W
Length
10.66 mm
Width
4.83 mm
Termination type
Through Hole
Rds On
0.11Ω
Transistor polarity
PolarPPowerMOSFET
Continuous drain current
36A
VDS
150V
Package
TO-220-3
Circuit Branch Number
1Channel
VGS
20V
Qg
55 nC
Height
16 mm
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
36A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
110mΩ@18A,10V
功率(Pd)
300W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
55nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
3.1nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
60.24212
10+
51.72965
50+
48.92334
100+
43.96553
500+
38.82062
1000+
31.99194
数量(递增量:1):
库存:
3,750
最小包装量:
50
交付周期:
18-20 工作日
共:
60.25
C001792657 IXTP36P15P 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001792657 IXTP36P15P 参考价格 ¥60.2421,实时库存 3750。TO-220-3 Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Pd-Power Dissipation: 300W, Length: 10.66 mm, Width: 4.83 mm, Termination type: Through Hole, Rds On: 0.11Ω, Transistor polarity: PolarPPowerMOSFET, Continuous drain current: 36A, VDS: 150V, Package: TO-220-3, Circuit Branch Number: 1Channel, VGS: 20V, Qg: 55 nC, Height: 16 mm, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 150V, 连续漏极电流(Id): 36A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ@18A,10V, 功率(Pd): 300W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 55nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 3.1nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXTP36P15P 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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