PJT138K_R1_00001

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产商:	PANJIT(强茂)
型号:	PJT138K_R1_00001
编号:	C001794646
封装:	SOT-363
海关编码:	EAR99
参数描述:	PJT138K
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

Pd-Power Dissipation

0.236W

Continuous drain current

0.36A

Package

SOT-363

Transistor polarity

双N沟道

VGS

1.5V 0.00025A

VDS

50V

Rds On

0.5A 10V 1.6Ω

类型

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

50V

连续漏极电流(Id)

360mA

功率(Pd)

236mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

1.6Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)

1.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

1nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)

50pF@25V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

2.71277

10+

1.84282

100+

1.1693

1000+

0.523851

3000+

0.27128

9000+

0.252571

数量(递增量:1):

库存:

705,000

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C001794646 PJT138K_R1_00001 由 PANJIT(强茂) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001794646 PJT138K_R1_00001 参考价格 ￥2.7128，实时库存 705000。SOT-363 Pd-Power Dissipation: 0.236W, Continuous drain current: 0.36A, Package: SOT-363, Transistor polarity: 双N沟道, VGS: 1.5V 0.00025A, VDS: 50V, Rds On: 0.5A 10V 1.6Ω, 类型: 2个N沟道, 漏源电压(Vdss): 50V, 连续漏极电流(Id): 360mA, 功率(Pd): 236mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.6Ω@10V,500mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 1nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 50pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 PJT138K_R1_00001 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。