IXFN100N50P

C001803324 IXFN100N50P 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001803324 IXFN100N50P 参考价格 ￥440.9447，实时库存 10。SOT-227-4 Pd-Power Dissipation: 1040W, Termination type: 底座安装, Package: SOT-227-4, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VDS: 500V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 500V, 连续漏极电流(Id): 90A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 49mΩ@50A,10V, 功率(Pd): 1.04kW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@8mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 240nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 20nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXFN100N50P 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。