AOT266L

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产商:	AOS(美国万代)
型号:	AOT266L
编号:	C001864959
封装:	TO-220
海关编码:	EAR99
参数描述:	通孔 N 通道 60V 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），268W（Tc） TO-220
数据手册:	数据手册

规格

Category

RFFETMOSFET

Package

TO-220

VDS

60V

Pd-Power Dissipation

0.1W 268W

Operating Temperature Range

-55℃~175℃

Termination type

通孔

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

140A；18A

功率(Pd)

2.1W；268W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

3.5mΩ@20A,10V

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3.2V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

90nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

5.65nF@30V

工作温度

-55℃~+175℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

21.90308

10+

19.71277

100+

15.84197

500+

13.01565

1000+

10.78446

2000+

10.0407

数量(递增量:1):

库存:

6,050

+-

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14-19 工作日

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C001864959 AOT266L 由 AOS(美国万代) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001864959 AOT266L 参考价格 ￥21.9031，实时库存 6050。TO-220 Package: TO-220, VDS: 60V, Pd-Power Dissipation: 0.1W 268W, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Termination type: 通孔, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 140A；18A, 功率(Pd): 2.1W；268W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.5mΩ@20A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 90nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 5.65nF@30V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 AOT266L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。