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IXYH50N120C3D1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-247AD
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
Termination type
Through Hole
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Max, gate / emitter voltage
30V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
30V
Package
TO-247AD
Collector Current Ic
90A
Pd-Power Dissipation
625W
Collector-emitter voltage
1200V
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
90A
功率(Pd)
625W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
4V@15V,50A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
142nC
开启延迟时间(Td(on))
28ns
关断延迟时间(Td(off))
133ns
导通损耗(Eon)
3mJ
关断损耗(Eoff)
1mJ
反向恢复时间(Trr)
195ns
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
127.0323
10+
111.97177
30+
108.97837
60+
102.89803
120+
96.81769
数量(递增量:1):
库存:
60
最小包装量:
30
交付周期:
18-20 工作日
共:
127.04
C001925803 IXYH50N120C3D1 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001925803 IXYH50N120C3D1 参考价格 ¥127.0323,实时库存 60。TO-247AD Termination type: Through Hole, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Max, gate / emitter voltage: 30V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 30V, Package: TO-247AD, Collector Current Ic: 90A, Pd-Power Dissipation: 625W, Collector-emitter voltage: 1200V, 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV, 集电极电流(Ic): 90A, 功率(Pd): 625W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 4V@15V,50A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 142nC, 开启延迟时间(Td(on)): 28ns, 关断延迟时间(Td(off)): 133ns, 导通损耗(Eon): 3mJ, 关断损耗(Eoff): 1mJ, 反向恢复时间(Trr): 195ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXYH50N120C3D1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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