YJB200G06B

C001981200 YJB200G06B 由 YANGJIE(扬杰) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C001981200 YJB200G06B 参考价格 ￥3.7075，实时库存 8000。TO-263 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 200A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,20A, 功率(Pd): 260W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 65nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.165nF@25V, 反向传输电容(Crss@Vds): 59pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 YJB200G06B 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。