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YJB70G10B

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:YANGJIE(扬杰)
型号:
编号:
封装:TO-263
海关编码:EAR99
参数描述:YJB70G10B TO-263
数据手册:
规格
Category
RFFETMOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
7.2mΩ@10V,20A
功率(Pd)
125W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
32nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.27nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)
36pF@50V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
800+
2.67461
数量(递增量:800):
库存:
8,000
最小包装量:
800
交付周期:
25-39 工作日
共:
2,139.69
C002042528 YJB70G10B 由 YANGJIE(扬杰) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002042528 YJB70G10B 参考价格 ¥2.6746,实时库存 8000。TO-263 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 70A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.2mΩ@10V,20A, 功率(Pd): 125W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 32nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.27nF@50V, 反向传输电容(Crss@Vds): 36pF@50V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 YJB70G10B 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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