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MBR35100

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:GeneSiC
型号:
编号:
封装:DO-4
海关编码:EAR99
参数描述:DIODE SCHOTTKY 100V 35A DO4
数据手册:
规格
Category
整流二极管
Package
DO-4
Forward Surge Current
600A
Termination type
底座安装
Vr-reverse voltage
100V
Operating Temperature Range
-55℃~+150℃
Operating Temperature-Min
-55℃
Reverse Leakage Current
0.0015A
If-forward Current
35A
Operating Temperature-Max
+150℃
Temperature Coefficient
肖特基
Vf-Forward Voltage
0.84V
正向压降(Vf)
840mV@35A
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
35A
反向电流(Ir)
1.5mA@20V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
165.1981
10+
140.31549
25+
131.52238
100+
119.26817
250+
119.08108
500+
111.69114
数量(递增量:1):
库存:
2,250
最小包装量:
250
交付周期:
18-20 工作日
共:
165.20

C002095014 MBR35100 由 GeneSiC 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-二极管-整流二极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002095014 MBR35100 参考价格 ¥165.1981,实时库存 2250。DO-4 Package: DO-4, Forward Surge Current: 600A, Termination type: 底座安装, Vr-reverse voltage: 100V, Operating Temperature Range: -55℃~+150℃, Operating Temperature-Min: -55℃, Reverse Leakage Current: 0.0015A, If-forward Current: 35A, Operating Temperature-Max: +150℃, Temperature Coefficient: 肖特基, Vf-Forward Voltage: 0.84V, 正向压降(Vf): 840mV@35A, 直流反向耐压(Vr): 100V, 整流电流: 35A, 反向电流(Ir): 1.5mA@20V。你可以下载 MBR35100 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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