NCE01P18K

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产商:	NCE(新洁能)
型号:	NCE01P18K
编号:	C002155308
封装:	TO-252-2(DPAK)
海关编码:	EAR99
参数描述:	P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

Pd-Power Dissipation

70W

Rds On

16A 0.1Ω 10V

Transistor polarity

P沟道

Continuous drain current

18A

VGS

3V 0.00025A

Package

TO-252-2(DPAK)

VDS

100V

类型

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

18A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

100mΩ@10V,16A

功率(Pd)

70W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3V@250uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

5+

1.80059

50+

1.60108

150+

1.51557

500+

1.40888

数量(递增量:5):

库存:

70,000

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C002155308 NCE01P18K 由 NCE(新洁能) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C002155308 NCE01P18K 参考价格 ￥1.8006，实时库存 70000。TO-252-2(DPAK) Pd-Power Dissipation: 70W, Rds On: 16A 0.1Ω 10V, Transistor polarity: P沟道, Continuous drain current: 18A, VGS: 3V 0.00025A, Package: TO-252-2(DPAK), VDS: 100V, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 18A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,16A, 功率(Pd): 70W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA。你可以下载 NCE01P18K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。